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本发明公开一种记忆合金微纳结构及制造方法,涉及光学结构器件领域,记忆合金微纳结构采用记忆合金材质且能够实现宽光谱调控,其制造方法包括以下步骤:步骤一、制作出微纳结构模具;步骤二、在记忆合金块的上表面涂覆光刻胶,对记忆合金块和光刻胶进行加热,采用微纳结构模具压印光刻胶,进而制作出微纳结构掩膜;步骤三、通过离子束刻蚀在记忆合金块的表面加工出记忆合金微纳结构。该记忆合金微纳结构不会由于受衍射极限的限制而导致无法制作尺度更小的结构,避免了依靠外力拉伸实现微纳结构的变化而导致的可记忆性差、精度低的缺点,解
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118068457A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410220942.4G03F7/00(2006.01)
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