半导体工艺腔室、晶圆传送件、半导体工艺设备及方法.pdfVIP

半导体工艺腔室、晶圆传送件、半导体工艺设备及方法.pdf

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本申请公开一种半导体工艺腔室、晶圆传送件、半导体工艺设备及方法,属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、工艺基座以及顶针,工艺基座设置于工艺腔室内,工艺基座设有至少一个第一晶圆支撑面以及与各个第一晶圆支撑面对应的第一限位凸起,第一晶圆支撑面用于与晶圆的下表面接触,第一限位凸起凸出于对应的第一晶圆支撑面;第一晶圆支撑面设置有用于使顶针贯穿通过的通孔,顶针可相对于腔室本体升降,在顶针支撑晶圆的情况下,第一限位凸起与晶圆限位配合。晶圆传送件用于向上述的半导体工艺腔室传送晶圆。半导体工艺设备

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099072A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202211491225.2

(22)申请日2022.11.25

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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