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标题单晶生长原理摘要单晶生长原理是指使用直拉法进行晶体生长的方法，该方法是半导体单晶生长中最常用的技术之一直拉法的特点包括采用电阻加热，控制硅晶体的熔化，并且保持一定的温度，让晶体上升，并迅速旋转主要内容1引晶通过电阻加热，将石英样品熔化，然后保持略高于硅熔点的温度，让种子晶体浸入熔体，最后按照肯定的速度向上提拉并同时旋转种子晶体，以确保其生长2实现肯定生长在确定长度的缩小的瘦长颈部的晶体，以防止种子晶体中的位错延长到晶体中3克服位错使用强化型晶
直拉法：直拉法即切克老斯基法〔Czochralski:Cz〕,直拉法是半导体单晶生长用的最多的一种晶体生长技术。直拉法单晶硅工艺过程
－引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然
后以肯定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体；
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－缩颈：生长肯定长度的缩小的瘦长颈的晶体，以防止籽晶中的位错延长到晶体中；－放肩：将晶体掌握到所需直
径；－等径生长：依据熔体和单晶炉状况，掌握晶体等径生长到所需长度；—收尾：直径渐渐缩小，离开熔体；
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－降温：降底温度，取出晶体，待后续加工
直拉法—几个根本问题
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