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本发明涉及一种量程可调的流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底;制作支撑结构层;沉积第一绝缘层;形成N型多晶硅半导体层;形成下层热电堆以及至少一组中心热源,下层热电堆包括上游测温元件热电堆下层热电偶和下游测温元件热电堆下层热电偶,每组中心热源包括沿横向依次设置的上游加热元件热源热电偶、中心加热元件热源热电偶和下游加热元件热源热电偶;沉积一层第二绝缘层;形成P型多晶硅半导体层;形成上层热电堆;沉积一层第三绝缘层;形成连接导线结构;沉积一层钝化层。本发明实现了不同量程的流量测量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102841A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410502640.6G01F1/684(2006.01)
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