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分析缺陷衍射环的表面缺陷纵向尺寸测量方法及系统，仅借助缺陷周围的衍射环就完成光学元件表面缺陷的纵向尺寸测量，可以实现快速、准确的全场一体化测量。方法包括：(1)调节干涉仪和位移台，使得干涉仪聚焦于待测元件表面，标定此时待测元件的轴向位置为初始位置；(2)设定位移台的步长和行程；(3)去除其携带的强度信息中低频的部分，利用剩余高频部分再次重构干涉图；(4)利用缺陷识别方法，对待测元件表面缺陷进行识别与定位；(5)根据识别的结果，在重构的干涉图中标定对应的缺陷位置；(6)利用目标检测方法对衍射环特征
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118089541A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410235550.5
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人北京理工大学
地址100081
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