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本发明公开了一种超薄LED芯片的制备方法及超薄LED芯片，所述超薄LED芯片的制备方法包括：对外延片去除衬底，并在所述外延片的电流扩展层或N‑GaN层粘接复合型荧光材料载体，得到初始芯片；对初始芯片进行刻蚀，裸露出外延片的P‑GaN层和N‑GaN层；在所述P‑GaN层或电流扩展层上制备金属P电极，在所述N‑GaN层上制备金属N电极，在初始芯片上形成电极区域；在所述电极区域上覆盖钝化层，且在所述钝化层上裸露出所述金属P电极和所述金属N电极；对初始芯片进行划片，得到超薄LED芯片。通过采用复合型荧光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099331A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410200472.5
(22)申请日2024.02.23
(71)申请人佛山市国星光电股份有限公司
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