原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种半导体封装方法、封装线路结构及半导体封装结构，通过刻蚀工艺在半导体晶圆中形成沟槽并通过填充所述沟槽得到导电柱，接着，在所述半导体晶圆的第一表面和第二表面分别形成电连接所述导电柱的再布线层以及导电结构，至此都是采用晶圆级制程工艺，由此，使得封装线路中的关键结构，即所述导电柱、再布线层和导电结构的线宽能够做得非常细，达到纳米级，从而实现了纳米级的封装线路加工。进一步的，通过采用嵌入式互连的方式进行封装布线，制备的封装线路结构中的线路更加密集，其集成度更高，尺寸及厚度也更小更薄，相应形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099087A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211503264.XH01L21/3065(2006.01)
(22)申请日2022.1
文档评论（0）