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本发明公开了用于提供存储器访问的有效平面规划、功率和性能折衷的设备和方法。双读取端口和单写入端口存储器位单元使用两个非对称读取访问电路在两个读取位线上传送所存储的数据。该两个读取位线被预充电到不同的电压参考电平。该存储器位单元的布局将该两个读取位线放置在与该单个写入位线相对的边缘上。该布局使用放置在这些边缘之间的P型扩散和N型扩散两者上方的虚拟栅极。尽管使用非对称读取访问电路，但该布局具有与N型晶体管相同数量的P型晶体管。该布局还具有比该P型晶体管的数量多一的接触栅极间距。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118103909A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202280057573.0(74)专利代理机构上海胜康律师事务所31263
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