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本发明提出了一种半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述有源层和上波导层之间设置有空穴注入层，所述空穴注入层具有电子有效质量、热膨胀系数、弹性系数、折射率系数和晶格常数特性。本发明能够调控有源层的极化电场，降低空穴注入势垒，并调控空空波函数分布，降低空穴溢出有源层，同时，改善空穴准费米能级钉扎，使注入载流子完全转换为激光光子输出，改善远离平衡态相应的对称性破缺，解决阈值处出现不连续或突变的电导上跳、结电压上跳和串联电阻下沉问题
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099939A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410217149.9
(22)申请日2024.02.28
(71)申请人安徽格恩半导体有
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