推测半导体制程中缺陷形状方法、系统、设备及可读介质.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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本申请提供了一种推测半导体制程中缺陷形状方法、系统、设备及介质，方法包括获取半导体制程测量数据，根据所述半导体制程测量数据，得到缺陷参数；根据所述缺陷参数，计算得到面积比例和长宽比例；根据所述面积比例确定聚集程度，根据所述长宽比例确定扁平程度；根据所述聚集程度和所述扁平程度，结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状和缺陷类型。本申请基于缺陷参数推测缺陷形状的方法，与传统的缺陷识别方法相比，不再需要依赖机台拍照或高分辨率图像数据。通过结合缺陷的尺寸、面积、长宽比等参数，以及数学模型和专业知识，实现了在不

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099013A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410043493.0

(22)申请日2024.01.11

(71)申请人上海朋熙半导体有限公司

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