- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种多通道深腔埋置集成微系统及其制作方法和电磁屏蔽结构,盖板包括板体层、设置在板体层的底面的第一金属层和设置在第一金属层的底面的外围的围堰焊层;埋置基板包括开设有多个TSV孔和多个顶面敞口的芯片埋置槽的衬底层、设置在衬底层的顶面上与围堰焊层对应处的围堰焊盘层和设置在位于围堰焊盘内侧的衬底层的顶面且用于覆盖衬底层和芯片再布线层;每个芯片埋置槽的底部与至少一个TSV孔连通,每个芯片埋置槽的内壁设有第二金属层;每个TSV孔均设有金属连接柱,金属连接柱与第二金属层电或再布线层内的电子线路对应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099138A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410067911.XH01L21/48(2006.01)
文档评论(0)