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一种新型IV-VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法.pdfVIP

一种新型IV-VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法.pdf

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    本申请提供一种新型IV‑VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法，涉及半导体材料领域。制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，前驱体膜层包括M膜以及分散于M膜中的X颗粒，M包括Ge或Sn，X包括S或Se。在前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中盖层的生长温度≤200℃，盖层与衬底连接并形成容置前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使中间体先升温至220‑280℃低温热处理1‑5h，接着升温至IV‑VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，其能够制得厚度可控且均一的晶圆

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118087031A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410242108.5C30B33/02(2006.01)

    (22)申请日2024.03.

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