超结功率器件的碳化硅基底的制备方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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超结功率器件的碳化硅基底的制备方法.pdf

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本发明提供了一种超结功率器件的碳化硅基底的制备方法，通过外延生长工艺形成第一N型碳化硅层和P型碳化硅层，并刻蚀所述P型碳化硅层以形成P柱，接着通过外延生长工艺在相邻的所述P柱之间形成N柱，相对于现有技术中通过沉积工艺形成P柱和N柱，本发明提供的制备方法中通过外延生长工艺形成P柱和N柱，能够得到质量、可靠性更佳的P柱和N柱。进一步的，在本发明提供的超结功率器件的碳化硅基底的制备方法中，先外延生长形成P型碳化硅层，接着通过刻蚀所述P型碳化硅层形成P柱，再直接外延生长形成N柱，由此形成的P柱和N柱的界

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118098967A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410248820.6

(22)申请日2024.03.05

(71)申请人芯联集成电路制造股份有限公司

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