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本发明公开了一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法，该真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽，真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层一、绝缘介质层一和铂金电极；硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成蛇形多孔硅隔热层，蛇形多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，相邻的蛇形多孔硅隔热层之间的硅衬底上依次沉积有掩膜层二和绝缘介质层一；硅帽位于蛇形多孔硅隔热层的上方，并与真空计主体形成检测腔体，硅帽具有空气微流道。本发明所公开的真空计可以解决薄膜型真空计在强烈的气体对流中易造成薄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115057406A
(43)申请公布日2022.09.16
(21)申请号202210396176.8
(22)申请日2022.04.15
(71)申请人山东大学
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