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一种覆铝氮化铝陶瓷基板双面散热功率模块的制备方法.pdfVIP

一种覆铝氮化铝陶瓷基板双面散热功率模块的制备方法.pdf

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    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种覆铝氮化铝陶瓷基板双面散热功率模块的制备方法；包括以下步骤：S01：取覆铝氮化铝陶瓷基板，化学镀铜，得镀铜基板；取两片镀铜基板分别作为上基板、下基板；S02：取上基板，在多个芯片焊接区域进行冷喷铜，得冷喷铜层；再经研磨高度补偿，得预处理铜层，得预处理上基板；S03：取下基板，印刷纳米银焊膏、将SiC芯片贴置在芯片区域、在相应位置放置功率端子及信号端子、进行焊接，得焊接下基板；S04：将引线键合，完成SiC芯片栅极区与焊接下基板功率互连；S05：二次印刷纳米银焊

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118098989A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410230893.2

    (22)申请日2024.02.29

    (71)申请人江苏富乐华功率半导体研究院有限

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