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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括目标材料层，基底上形成有第二核心材料层以及第一核心材料层，基底包括第一区以及第二区；图形化第一核心材料层形成第一核心层；形成覆盖第一侧墙；对第二区的第二核心材料层进行改性处理，将多个部分宽度的第二核心材料层转变为与第二核心材料层具有刻蚀选择比的第三核心层；以第一侧墙为掩膜图形化第一区的第二核心材料层，形成第二核心层；形成第二侧墙；以第二侧墙和第三核心层为掩膜图形化目标材料层，形成第一目标结构以及第二目标结构，相邻第一目标结构的间距小于相邻第二目标结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098937A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211501429.X
(22)申请日2022.11.28
(71)申请人中芯国际集成电路制
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