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本发明涉及一种半导体封装用管座,包括:装置体和基体;所述基体上设置有沉台;所述装置体的最下表面通过隔着所述沉台的底部相对于所述基体的最下表面离开;所述装置体和基体通过焊料而连接;所述沉台的底部相对于所述基体最上表面的垂直距离大于基体最大厚度的百分之60以上;本发明通过将沉台的底部相对于所述基体最上表面的垂直距离设置为大于基体最大厚度的百分之60以上,以降低装置体和基体之间的传热热阻,以提升半导体封装用管座的散热性能,同时通过沉台的梯度结构避免焊料对装置体侧壁的吸附,导致装置体侧面不平整的问题,提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099925A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410370958.3
(22)申请日2024.03.29
(71)申请人中电科芯片技术(集团)有限公司
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