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涉及存储器侧(NAND侧)写入训练的系统及方法.pdfVIP

涉及存储器侧(NAND侧)写入训练的系统及方法.pdf

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    本申请案涉及有关存储器侧(NAND侧)写入训练的系统及方法。本发明揭示涉及存储器侧写入训练以改进数据有效窗口的系统及方法。在一个实施方案中，用于执行存储器侧写入训练的方法可包括：延迟第一数据信号的上升沿或下降沿；延迟第二数据信号的上升沿或下降沿；及使两个经调整信号对准以减小所述数据信号非有效的时间窗口且借此改进或优化存储器阵列的所述数据有效窗口DVW。根据本文中的实施方案，可经由存在于位于系统的所述存储器侧上的数据路径中的专用修整单元或电路系统而调整或延迟数据信号及时钟信号的各种边沿。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN112116941A

    (43)申请公布日

    2020.12.22

    (21)申请号20201

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