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本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层具有电子有效质量分布、弹性系数分布和热膨胀系数分布特性。本发明通过设计半导体激光器中下限制层中电子有效质量分布、弹性系数分布和热膨胀系数分布特性，从而降低自由载流子吸收热量以及焦耳热损耗，提升下限制层的散热，降低激光器各层材料的热失配，降低阈值电流、提升斜率效率，并改善激光器的寿命和可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099941A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410217626.1
(22)申请日2024.02.28
(71)申请人安徽格恩半导体有
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