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- 2024-05-29 发布于四川
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本发明公开了一种光通信的LED半导体装置及其制备方法,该LED半导体装置包括:基底;第一电极,该第一电极沿第一方向设置于基底上;发光二极管堆叠结构,该发光二级管堆叠结构位于第一电极上;绝缘材料层,该绝缘材料层位于基底和第一电极上,且包裹发光二极管的侧面,绝缘材料层上表面的高度高于发光二极管上表面的高度;第二电极,该第二电极沿第二方向沉积在绝缘材料层和发光二极管堆叠结构的上表面,所述第二方向与第一方向不平行。该LED半导体装置具有较高的响应速度、发光效率和稳定性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102767A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410486827.1
(22)申请日2024.04.23
(71)申请人浙江大学
地址310058
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