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具有近场多层反射器的半导体发光器件.pdfVIP

具有近场多层反射器的半导体发光器件.pdf

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    一种发光器件包括半导体二极管结构和多层反射器(MLR)结构。该二极管结构包括第一和第二掺杂半导体层以及它们之间的有源层；有源层以标称发射真空波长λ0发射输出光，以在二极管结构内传播。MLR结构被定位在紧靠第二半导体层的背表面，包括两层或更多层具有两种或更多种不同折射率的电介质材料，反射二极管结构内的入射输出光，并且相对于λ0与有源层近场邻近。相对于器件出射表面在二极管结构内垂直传播的输出光的至少一部分作为器件输出光离开二极管结构。MLR结构可以包括散射元件，该散射元件散射一些横向传播的输出光以垂

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118103998A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202280069243.3J·戈麦斯里瓦斯

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