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本申请提供一种嵌入式3DSONOS存储器及其制造方法，该存储器的结构由一个横向的存储管和一个纵向的选择管组成，相邻两个选择管共用一个源端，并且源端与选择管通过第三多晶硅层和第二多晶硅层共接在一起。本申请的有益效果：(1)存储区与逻辑区多晶硅栅极和栅氧化层分别独立生长刻蚀，便于不同厚度栅极的调控；(2)存储区光罩版定义相邻两个存储管和选择管源端的总宽度，单个存储管的栅长由自对准刻蚀定义，利于器件尺寸缩小；(3)存储区选择管栅长在纵向上由刻蚀深度决定，利于缩减水平方向尺寸；(4)选择管栅极由第三多
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102726A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410225479.2
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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