第十章--工艺集成.pptVIP

第十章工艺集成通常把运用各类工艺技术形成电路结构的制造过程，称为集成电路的工艺集成。集成电路的生产过程实际上是顺次运用不同的工艺技术，最终在硅片上实现所设计的图形和电学结构的过程。10.1集成电路中的隔离为什么隔离：避免器件工作时相互影响。10.1集成电路中的隔离10.1.1MOS集成电路中的隔离1．自隔离由于MOSFET源、漏与衬底的导电类型不同，所以本身就是被PN结所隔离，即自隔离（self-isolated）。??2．寄生晶体管

3．防止寄生场效应晶体管开启的方法提高寄生场效应晶体管的阈值电压使寄生场效应晶体管的阈值电压高于集成电路的工作电压。通常场区的阈值电压需要比集成电路的电源电压高3-4V，以使相互隔离的两个MOSFET的泄漏电流小于1pA。4．提高场效应晶体管的阈值电压的方法1）、增加场区SiO2的厚度；（但是过厚的氧化层将产生过高的台阶，从而引起台阶覆盖的问题）2）、增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层。5．局部氧化工艺（LOCOS）优点：1.可以