青霉素钾盐的结晶.pptVIP

二次成核（1）剪应力成核：当过饱和溶液以较大的流速流过正在生长中的晶体表面时，在流体边界层存在的剪应力能将一些附着于晶体之上的粒子扫落，而成为新的晶核。二次成核：在已有晶体的条件下产生晶核的过程。成核机理主要有流体剪应力成核和接触成核。二次成核（2）接触成核：当晶体与其他固体物接触时所产生的晶体表面的碎粒。在过饱和溶液中，晶体只要与固体物进行能量很低的接触，就会产生大量的微粒。二次成核速率的影响因素:温度、过饱和度、晶体的粒度与硬度、搅拌桨的材质等。在工业结晶器中，晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞，以及晶体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。接触成核的几率往往大于剪应力成核。晶体生长1．晶体生长机理在过饱和溶液中已有晶体形成（加入晶种）后，以过饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在晶体表面有序排列，晶体将长大的过程。晶体生长过程有三步：1）待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液层，从溶液中转移至晶体表面。2）到达晶体表面的溶质嵌入晶面，晶体长大，同时放出结晶热。3）放出来的结晶热传导至溶液中。影响晶体生长速度的因素杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢；搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成；温度：促进表面化学反应速度的提高，增加结晶速度；提高晶体质量的方法影响晶体质量的因素：（1）过饱和度（2）搅拌速度（3）晶种（4）晶浆浓度（5）杂质（6）溶剂与pH晶体质量包括三个方面的内容：晶体大小、形状和纯度影响晶体质量的因素（1）过饱和度增大溶液过饱和度可提高成核速率和生长速率，有利于提高结晶生产能力。过饱和度过大会出现以下问题：成核速率过快，产生大量微小晶体，结晶难以长大；结晶生长速率过快，影响结晶质量；结晶器壁容易产生晶垢。（2）搅拌速度增大搅拌速度可提高成核和生长速率，搅拌速度过快会造成晶体的剪切破碎，影响结晶产品质量。为获得较好的混合状态，同时避免结晶的破碎，或利用直径或叶片较大的搅拌桨，降低桨的转速。（3）晶种向处于介稳区的过饱和溶液中添加颗粒均匀的晶种。对于溶液粘度较高的物系，晶核很难产生，而在高过饱度下，一旦产生晶核，就会同时出现大量晶核，容易发生聚晶现象，产品质量不易控制。高粘度物系必须用在介稳区内添加晶种的操作方法。（4）晶浆浓度晶浆浓度越高，单位体积结晶器中结晶表面积越大，结晶速率越快，有利于提高结晶生产速度(产量)。晶浆浓度过高时，悬浮液的流动性差，混合操作困难。晶浆浓度应在操作条件允许的范围内取最大值。在间歇操作中，晶种的添加量应根据最终结晶产品的大小，满足晶浆浓度最大的高效生产要求。（5）共存杂质的影响：结晶的对象是多组分物系，要选择性结晶目标产物。如果共存杂质的浓度较低，一般对目标产物的结晶无明显影响。如果在结晶操作中杂质含量不断升高(如采用蒸发式结晶操作时)，杂质的积累会严重影响目标产物结晶的纯度。（6）溶剂与pH值：结晶操作采用的溶剂和pH值应使目标溶质的溶解度较低，以提高结晶的收率。溶剂和pH值对晶形有影响。如普鲁卡因青霉素在水溶液中的结晶为方形晶体，在醋酸丁酯中的结晶为长棒状。在设计结晶操作前需实验确定使结晶晶形较好的溶剂和pH值。结晶系统的晶垢防止晶垢或除去晶垢方法：壁内表面采用有机涂料，保持壁面光滑，防止在器壁上的二次成核现象的发生；提高结晶系统中流体流速，使流速分布均匀，消除低流速区；采用夹套保温方式防止壁面附近过饱和度过高；增设晶垢铲除装置，定期添加溶剂溶解产生的晶垢；蒸发室壁面极易产生晶垢，可采用喷淋溶剂的方式溶解晶垢。结晶器壁及循环系统中产生晶垢，影响结晶过程效率。晶体结块是一种导致结晶产品品质劣化的现象导致晶体结块的主要原因有：结晶理论：由于某些原因造成晶体表面溶解并重结晶，使晶粒之间在接触点上形成固体晶桥，呈现结块现象；毛细管吸附理论：由于晶体间或晶体内的毛细管结构，水分在晶体内扩散，导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结块。晶体分离与洗涤晶体分离晶体洗涤：洗涤目的？洗涤溶剂？洗涤方法？重结晶经过一次粗结晶后，得到的晶体通常会含有一定量的杂质。此时工业上常常需要采用重结晶的方式进行精制。重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。重