磁电阻特性实验报告.docx

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试验8-1InSb磁电阻特性争论

【试验目的】

1、把握磁感应强度的测量方法；

2、了解磁电阻的一些根本学问；

3、测量和分析InSb材料磁电阻特性；

【试验原理】

磁电阻(MagnetoResistance，MR)通常定义为

?RR(0)

?R(B)?R(0)

R(0)

〔8-1-1〕

其中：R〔0〕是零外场下的电阻，R〔B〕是外场B下的电阻。有时，上式也可以表示为目前，已被争论的磁性材料的磁电阻效应大致包括：由磁场直接引起的磁性材料的正

常磁电阻、与技术磁化相联系的各向异性磁电阻、掺杂稀土氧化物中特大磁电阻、磁性多层

膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻、以及隧道磁电阻等。图8-1-2列出了几种磁电阻阻值R随外磁场μ0H的变化形式。在以上磁电阻效应中，正常磁电阻应用最为普遍。

图8-1-1几种典型的磁电阻效应

正常磁电阻普遍存在于全部磁性与非磁性材料中，其来源于外磁场对载流子的洛仑兹力，它导致载流子运动发生偏转或产

生螺旋运动，从而使载流子碰撞几率增加，造成电阻上升，因而，在正常

磁电阻中，??

//

、??

T

和?? 均为

?

正，并且有?

T

? 。正常磁电阻

//

与外场的关系如图8-1-2所示。在特定的温度，随外场的增加，在低场区域，正常磁电阻近似地与外场成平方关系。对于单晶样品，在较高