单片机存储器扩展.pptVIP

存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路，是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体。读写存储器又称随机存储器。读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称RAM。RandomAccessMemory...5.1随机存取存储器（RAM）单片机存储器扩展5.1随机存取存储器（RAM）RAM按功能可分为静态、动态两类RAM按所用器件又可分为双极型和MOS型两种1.双极型：由TTL电路组成基本存储单元，存取速度快。2.MOS型：由CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功耗低。1.SRAM：静态RAM。存储单元使用双稳态触发器，可带电信息可长期保存。2.DRAM:动态RAM。使用电容作存储元件，需要刷新电路。集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。单片机存储器扩展5.1.1RAM的电路结构与工作原理WiDD符号1.RAM存储单元(1)静态RAM存储单元（位）X：行选择线Y：列选择线5.1随机存取存储器（RAM）5.1.1RAM的电路结构与工作原理1.RAM存储单元(1)静态RAM存储单元（位）(2)动态RAM存储单元（位）四管MOS动态存储单元电容作存储元件设：C1上充有电荷，且C1上的电压达到T1的开启电压，则T1导通，Q为低电平0，它使C2放电，使C2上的电压为0，因此T2截止，为高电平1，这是存储单元的一个稳定状态，表示存储单元存储了数据0。电容有漏电流，需定时刷新。5.1.1RAM的电路结构与工作原理1.RAM存储单元2.RAM的基本结构存储器容量表示方法：mkXn存储器容量表示方法：mkXn8kX1?数据线：1地址线：131kX4?数据线：4地址线：105.1.1RAM的电路结构与工作原理5.1随机存取存储器（RAM）5.1.2RAM举例6116容量：？2kX86264容量：？8kX85.1.1RAM的电路结构与工作原理5.1随机存取存储器（RAM）5.1.2RAM举例5.1.3RAM存储容量的扩展存储器容量表示方法：mkXn1.位数的扩展如：将2114（1K×4）构成1K×8控制线、地址线并联，数据线扩展。5.1.3RAM存储容量的扩展1.位数的扩展2.字数的扩展如：用2114（1K×4）构成4K×4(1).访问4096个单元，必然有12根地址线；(2).访问RAM2114，只需10根地址线，尚余2根地址线；(3).设法用剩余的2根地址线去控制4个2114的片选端。A11A10选中片序号对应的存储单元001110012114(1)2114(2)2114(3)2114(4)000H~3FFH400H~7FFH800H~0BFFH0C00H~0FFFH存储器扩展6116 2kX88kX8需？片611648kX16需？片61168存储器1kX18kX8需？片645.1.3RAM存储容量的扩展5.1随机存取存储器（RAM）5.2只读存储器（ROM）工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。ReadOnlyMemory...掩膜ROM可编程ROM（PROM）只读存储器（ROM）的发展EPROMEPROM：光擦除可编程ROMEEPROMEPROM：电擦除可编程ROM单片机存储器扩展5.2只读存储器（ROM）5.2.1掩膜ROM地址内容A1A0D3D2D1D00010100101001011011110115.2.2可编程ROM（PROM）5.2只读存储器（ROM）5.2.1掩膜ROM5.2.2可编程ROM（PROM）5.2.3EPROM：光擦除可编程ROMEPROM2716(a)基本结构(b)外引线排列图5.2.4EEPROM：电擦除可编程ROM2716、2816：2kX84．读写线OE、WE(R/W) 连接读写控制线RD、WR。 5-3 存储器的连接存储器与微型机三总线的连接：