溶液法制硫化镉薄膜.docVIP

上海大学2012～2013学年春季学期

材料科学导论C课程论文

课程名称：材料科学导论C

课程编号论文题目：CdS薄膜及其制备

姓名:邢凯健

学号:论文评语：

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CdS薄膜及其制备

摘要:CdS薄膜在异质结太阳能电池中是十分重要的n型窗口材料,它的制备可以通过真空镀膜,分子束外延,磁控溅射及化学沉积的方法来实现,而化学沉积方法中,最为常用的就是水浴法是十分重要的。

关键词：CdS薄膜化学水浴法反响速率

一、CdS的根本性质

CdS薄膜的禁带宽度为2.42eV，能透过绝大局部阳光，是十分优秀的窗口材料，其薄膜质量的好坏会直接影响在此根底上制备的吸收层CdTe薄膜质量的好坏，对电池的效率和寿命是十分重要的。因此如何制备出高质量的CdS薄膜成为了一个十分关键的课题。

二、水浴法制备CdS薄膜

如今有许多物理方法可以去制备CdS薄膜，例如真空镀膜法、磁控溅射法等等，这些物理方法制备的CdS薄膜的厚度均匀，测试的结果也十分理想，那么我们为什么还要使用化学方法去制备CdS薄膜呢？其中最为重要的因素就是化学方法，例如水浴法，所需要的本钱十分低廉，特别是与前面所提到的几种物理方法相比，前期所投出的经费是微乎其微。并且后期也不会遇到仪器维修等问题。

但是水浴法制备CdS薄膜的质量从