重离子辐照1200 V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析.pptxVIP

重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析汇报人：2024-01-15

CATALOGUE目录引言重离子辐照对碳化硅二极管的影响1200V碳化硅二极管的漏电退化现象缺陷分析的方法与实验设计实验结果与讨论结论与展望

01引言

重离子辐照对碳化硅二极管的影响01重离子辐照会导致碳化硅二极管性能退化，特别是在高剂量率下，退化现象更加明显。碳化硅二极管的广泛应用02碳化硅二极管在电力电子、航空航天、核能等领域具有广泛应用，其性能稳定性和可靠性对系统整体性能至关重要。研究的必要性03针对重离子辐照下碳化硅二极管的漏电退化现象，开展深入研究对于提高器件的抗辐照性能、优化器件设计以及推动相关领域的发展具有重要意义。研究背景和意义

目前，国内外学者已经对重离子辐照下碳化硅二极管的性能退化进行了初步研究，并取得了一定的成果。然而，对于漏电退化的缺陷分析尚不深入，缺乏系统性的研究。国内外研究现状随着重离子辐照技术的不断发展和碳化硅器件应用的不断拓展，对碳化硅二极管的抗辐照性能和稳定性要求将不断提高。因此，深入研究重离子辐照下碳化硅二极管的漏电退化缺陷分析将成为未来研究的热点和重点。发展趋势国内外研究现状及发展趋势

研究目的本研究旨在揭示重离子辐照下1200V碳化硅二极管的漏电退化机制，分析缺陷类型和产生原因，为优化器件设计、提高抗辐照性能提供理论支撑。研究内容首先，通过重离子辐照实验模拟碳化硅二极管在辐照环境下的性能退化过程；其次，利用微观分析手段对退化后的器件进行缺陷类型和分布的研究；最后，结合实验结果和理论分析，探讨漏电退化的物理机制和影响因素。研究目的和内容

02重离子辐照对碳化硅二极管的影响

重离子辐照的基本原理重离子定义重离子是指质量数大于氦核（A4）的离子，如碳、氧、硅等元素的离子。辐照过程重离子在加速器中被加速到高能状态，然后轰击到碳化硅二极管上，与晶格原子发生碰撞，导致原子离位、缺陷产生等。能量沉积重离子在碳化硅材料中沉积能量，引发一系列物理和化学变化，如晶格畸变、化学键断裂等。

退化速度加快随着辐照剂量的增加，碳化硅二极管的性能退化速度加快，表现为漏电流增大、正向压降增加等。温度敏感性增强重离子辐照后的碳化硅二极管对温度的敏感性增强，高温下性能退化更为严重。漏电流增加重离子辐照会导致碳化硅二极管漏电流显著增加，降低器件的击穿电压和耐压能力。重离子辐照对碳化硅二极管的性能影响

重离子辐照在碳化硅材料中引入大量缺陷，如空位、间隙原子等，这些缺陷破坏了晶格的完整性，导致漏电流增加。缺陷产生重离子辐照还会引起碳化硅二极管界面态的变化，如界面陷阱增多、界面电荷积累等，进一步加剧了漏电流的增大。界面态变化重离子辐照可能导致碳化硅二极管氧化层的损伤，使得氧化层中的电荷陷阱增多，从而影响器件的电学性能。氧化层损伤重离子辐照下碳化硅二极管的退化机制

031200V碳化硅二极管的漏电退化现象

在正常工作条件下，1200V碳化硅二极管的反向漏电流会逐渐增加，超过其额定范围。漏电退化表现漏电退化会导致二极管性能下降，增加功耗和发热，甚至可能引发电路故障，影响整个系统的稳定性和可靠性。危害漏电退化的表现及危害

碳化硅材料本身可能存在晶格缺陷、杂质等问题，这些缺陷会在电场作用下形成漏电通道。材料缺陷工艺问题工作环境在二极管制造过程中，如氧化层质量、金属化工艺等环节出现问题，也可能导致漏电退化。高温、高辐射等恶劣工作环境会加速二极管的老化过程，从而引发漏电退化。030201漏电退化的原因分析

重离子辐照会在碳化硅材料中引入深能级缺陷，增加漏电流。同时，辐照还会产生位移损伤，进一步加剧漏电退化。重离子辐照影响实验表明，重离子辐照的剂量与1200V碳化硅二极管的漏电退化程度呈正相关。随着辐照剂量的增加，漏电流逐渐增大，退化现象愈发严重。辐照剂量与退化程度针对重离子辐照对碳化硅二极管的影响，可以采取适当的屏蔽措施、优化器件结构等方法来降低漏电退化的风险。防护措施漏电退化与重离子辐照的关系

04缺陷分析的方法与实验设计

03缺陷能级分析采用深能级瞬态谱（DLTS）等技术，研究二极管中缺陷能级的分布和性质。01微观结构分析利用原子力显微镜（AFM）或透射电子显微镜（TEM）观察二极管表面的微观形貌和结构变化。02电气性能测试通过I-V特性测试、C-V特性测试等手段，获取二极管的电气性能参数，如漏电流、击穿电压等。缺陷分析的基本方法

样品准备辐照实验性能测试微观结构观察实验设计与实施过程选择经过重离子辐照的1200V碳化硅二极管作为实验样品，并进行必要的预处理。在辐照前后，对样品的电气性能进行测试，记录关键参数的变化情况。在特定的辐照条件下，对样品进行重离子辐照，模拟空间环境中的辐照效应。利用微观结构分析手段，观察辐照后样品表面的形貌和结构