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〔整理〕微电子工艺答案,整理好的了
1.1.保护器件避开划伤和沾污
限制带电载流子场区隔离〔外表钝化〕
栅氧或存储单元构造中的介质材料
掺杂中的注入掩蔽
金属导电层间的电介质
削减外表悬挂键
化学反响：Si+2H2O-SiO2+2H2
水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，由于水蒸气比氧气在二氧化硅中集中更快、溶解度更高
、1.干氧：Si＋O2SiO2
氧化速度慢，氧化层枯燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好
2、水汽氧化：Si+H2OSiO2〔固〕+H2(气)
氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差
3、湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反响，又有与水汽反响氧化速度
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