第四章数字X线设备[1].ppt

硒型FPD原理向非晶硒层加正向偏置电压（0-5kv），即预置初始状态。X射线照射,非晶硒层产生电子、空穴对在外加电场下产生电流，并在TFT层存储电荷。读出TFT层存储的电荷，放大并经过A/D转换后输出到计算机。所有电荷信号被读取后，消除残余电荷，恢复到初始状态。X射线影响非晶硒平板探测器的图像

质量的因素X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对。由于没有可见光的产生，不发生散射，空间分辨率取决于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小，矩阵越大薄膜晶体管的个数越多，空间分辨率越高，随着工艺的提高可以做到很高的空间分辨率。由于早期非晶硒平板探测器制作工艺存在缺陷，大面阵探测器的稳定性较差在市场占有率逐年减少，DR市场上主要以非晶硅平板探测器为主。目前非晶硒平板探测器主要用于乳腺DR上。非晶硒平板探测器的优缺点优点：1.转换效率高,动态范围广；2.空间分辨率高；3.锐利度好；缺点：1.对X线吸收率低，在低剂量条件下图像质量不能很好的保证，而加大X线剂量，不但加大病源射线吸收，且对X光系统要求过高。2.硒层对温度敏感，使用条件受限，环境适应性差。 非晶硅平板探测器数字化X线成像非晶硅平板探测器基本原理X线可见光电信号数字信号图像处理显示光电管/TFT阵列薄膜晶体管阵列X线能量转换发光晶体能有效地吸收外界施加的能量，并在瞬间以可见光的形式将能量释放出来，从而起到X线能量转换的作用。非晶硅平板探测器使用的发光晶体主要为碘化铯（CsI）和硫氧化钆gá。TFT薄膜晶体管阵列

工作原理光信号采集与转换在发光晶体下面，紧贴着由非晶硅加TFT阵列组成的像素矩阵，像素矩阵以非晶硅光电二极管为基本单位，每个光电管就是一个像素。Ｘ线入射到闪烁晶体层时被转换为可见光，再由光电二极管矩阵转换为电信号，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷，每个像素的存储电荷量与入射Ｘ线强度成正比。读信号时，在控制电路作用下，给某行TFT施加电压，这一行TFT开关打开，按一定顺序把各个像素的存储电荷读出。读出的信号经信号放大器，A/D转换器转换后形成数字信号输出，最后传送给计算机重建出图像。矩阵中得电信号按照逐行逐列读出，计算机在读出一行信息后，自动清除原有信息。2012-02间接型-非晶态硅（总结）①闪烁体或荧光体层+②非晶硅层（a-Si）（具有光电二极管作用）+③TFT阵列间接型-非晶态硅（总结）基本工作过程原理：a：入射的X射线图像经碘化铯闪烁晶体转换为可见光图像，b：可见光图像由下一层的非晶硅光电二极管阵列转换为电荷图像c：对电荷信号逐行取出，转换为数字信号，再传送至计算机，从而形成X射线数字图像闪烁体层非晶硅阵列集成电路读出板列驱动板X射线2012-02闪烁体和荧光体能将在X线照射下激发出可见光的发光晶体物质统称闪烁体或荧光体，荧光是指在X线激发停止后持续（10-8s）发光的过程闪烁是指单个高能粒子在闪烁体上瞬时激发的闪光脉冲间接型-闪烁体：硫氧化钆作用：将X射线光子转化成可见光光子发射。特点： 成像速度快 性能稳定 成本较低层状排布（散射线造成的不清晰度较大）主要有日本佳能生产的CXDI系列也是唯一能实现移动的X射线探测器有轻微吸潮性和易潮性，需要控制使用环境。间接型-闪烁体：碘化铯用碘化铯将X射线光子转化成可见光光子发射。碘化铯（CsI:T1闪烁体）连续排列、针状直径约为6-7μm厚度为500-600μm外围用铊包裹减少漫射闪烁物Csl非晶硅阵列光学反射面碳纤维保护层环氧树脂密封内部结构影响非晶硅平板探测器的图像质量的因素由于可见光的产生，存在散射现象，空间分辨率不仅仅取决于对散射光的控制技术。总的来说，间接转换平板探测器的空间分辨率不如直接转换型平板探测器高。薄膜晶体管FTF的设计及工艺也会影响探测器。非晶硅和非晶硒平板探测器区别观察和区分不同组织的密度，因此对密度分辨率的要求比较高。宜使用非晶硅平板探测器容易获得较高对比度的图像。需要对细节要有较高的显像，对空间分辨率的要求很高，因此宜采用非晶硒平板探测器的DR，以获得高空间分辨率的图像。非晶硅和非晶硒平板探测器区别空间分辨率影响图像对细节的分辨能力，在临床应用中用应根据不同的检查部位来选择不同类型的平板探测器，对于像胸部这样的检查，重点在于观察和区分不同组织的密度，因此对密度分辨率的要求比较高，在这种情况下，宜使用非晶硅平板探测器的DR，容易获得较高对比度的图