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GaNHEMT场板研究综述汇报人：2024-01-242023REPORTING

引言GaNHEMT场板基本原理与特性GaNHEMT场板制备工艺与技术GaNHEMT场板性能优化策略GaNHEMT场板应用领域及前景展望总结与展望目录CATALOGUE2023

PART01引言2023REPORTING

随着5G通信技术的快速发展，高频、高效率、高功率密度的电子器件需求迫切，GaNHEMT器件因其优异的性能成为研究热点。场板结构作为GaNHEMT器件的关键部分，对器件的性能和可靠性有着重要影响，因此对其进行深入研究具有重要意义。通过研究场板结构，可以优化器件的电学性能、提高击穿电压、降低漏电流等，为GaNHEMT器件的应用提供有力支持。研究背景与意义

国内外研究现状结构优化可靠性研究制造工艺改进新材料的应用发展趋势目前，国内外学者对GaNHEMT场板结构进行了广泛研究，包括场板形状、材料、厚度等方面。同时，针对场板结构对器件性能的影响也进行了深入探讨。随着GaNHEMT器件应用场景的不断拓展，对其性能的要求也越来越高。未来，场板结构的研究将更加注重以下几个方面探索具有更高性能的新材料，如石墨烯、二维材料等，以提高场板结构的性能。通过改变场板形状、厚度等参数，进一步优化器件的电学性能。针对场板结构的可靠性问题进行深入研究，提高器件的长期稳定性和可靠性。改进场板结构的制造工艺，降低制造成本，提高生产效率。国内外研究现状及发展趋势

PART02GaNHEMT场板基本原理与特性2023REPORTING

GaN材料特性及优势GaN具有较大的禁带宽度，使其在高温、高功率和高频应用中具有优势。GaN材料中的电子饱和速度远高于传统半导体材料，有利于实现高速器件。GaN的高击穿电场使其能够承受更高的电压，适用于高压应用。GaN具有优良的热导性，有助于散热，提高器件的可靠性。宽禁带宽度高电子饱和速度高击穿电场良好的热导性

HEMT场板通常位于栅极和漏极之间，用于优化电场分布，提高击穿电压和降低栅漏电流。场板结构HEMT场板通过调节栅极和漏极之间的电场分布，降低栅极边缘的电场强度，从而减小栅漏电流，提高器件的耐压能力。工作原理根据场板的形状和材料，可分为平板场板、斜场板和金属场板等。场板类型HEMT场板结构和工作原理

击穿电压栅漏电流跨导和截止频率热稳定性和可靠性关键性能指标及影响因素衡量器件耐压能力的关键指标，受场板结构、材料、工艺等因素影响。反映器件放大能力和高频特性的重要参数，受GaN材料特性和HEMT结构设计影响。表征器件栅极控制能力的参数，与场板设计密切相关。决定器件长期工作性能的关键因素，与GaN材料质量、器件结构和散热设计等有关。

PART03GaNHEMT场板制备工艺与技术2023REPORTING

常用的衬底材料包括蓝宝石、硅、碳化硅等，选择合适的衬底材料对于提高GaNHEMT器件的性能至关重要。包括清洗、抛光、热处理等步骤，以去除表面污染、提高表面平整度、减少缺陷密度等，为后续外延生长提供良好的基础。衬底选择与处理技术衬底处理技术衬底材料选择

金属有机物化学气相沉积（MOCVD）利用金属有机物作为前驱体，在高温下通过化学反应在衬底上生长出高质量的GaN外延层。分子束外延（MBE）在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和能量，实现原子层级别的精确生长。氢化物气相外延（HVPE）使用氯化物和氢气的混合物作为前驱体，在相对较低的温度下进行快速外延生长。外延生长技术

干法刻蚀利用反应离子刻蚀（RIE）或感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，对GaN材料进行刻蚀，形成器件的栅极、源极和漏极。表面清洗与光刻对GaN外延片进行表面清洗，去除有机物和氧化物等污染，然后通过光刻技术定义器件的图形。金属化工艺通过电子束蒸发或溅射等方法在器件表面沉积金属薄膜，形成欧姆接触或肖特基接触。划片与封装将加工完成的器件从外延片上划下，并进行封装保护，以便进行后续的测试和应用。退火处理对金属化后的器件进行高温退火处理，以改善金属与半导体之间的接触性能。器件加工工艺流程

PART04GaNHEMT场板性能优化策略2023REPORTING

通过减小栅极电阻和增加栅极电容，提高器件的跨导和频率响应。T型栅极双栅极结构凹槽栅极增强栅极控制能力，降低漏电流，提高击穿电压。增加栅极与沟道之间的耦合，提高跨导和电流密度。030201栅极结构优化

降低接触电阻，提高器件的输出功率和效率。欧姆接触优化通过场板结构优化，降低源漏极间的电场强度，提高击穿电压。源漏极场板设计结合多种材料和技术，实现低阻抗、高可靠的源漏极接触。复合源漏极结构源漏极接触改进

表面钝化保护技术表面钝化层采用化学气相沉积、原子层沉积等方法，形成致密的钝化层，保护器件表