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碳化硅晶片

在半导体器件的应用方面，随着碳化硅生产成本的降低，碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片，打破硅芯片由于材料本身性能的瓶颈，将给电子业带来革命性的变革。

碳化硅的性质

碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦 (或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐 )等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方

晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。

作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。使用宽禁带材料可以提高器件的工作温度。6H-SiC和4H-SiC的禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV，相应的本征温度可高达8000C以上;即就是禁带最窄的3c-sic,其禁带宽度也在2.3eV左右。因此,用碳化硅做成的器件，其最高工作温度有可能超过6000C。功率开关器件的反向电压承受力与其漂移区(单极器件)或基区(双极器件)的长度和电阻率有关，而单极功率开关器件的通态比电阻又直接决定于漂移区的长度和电阻率，因而与其制造材料击穿电场强度的立方成反比川。使用击穿电场强度高的材料制作高压功率开关，其电阻率不必选择太高，器件的漂移区或基区也不必太长。这样，不但其通态比电阻会大大降低，工作频率也会大大提高。碳化硅的击穿电场强度是硅的8倍，其电子饱和漂移速度也是硅的2倍，更有利于提高器件的工作频率，因而碳化硅单极功率开关不单是通态比电阻很低，其工作频率一般也要比硅器件高10倍以上。热导率高则使碳化硅器件可以在高温下长时间稳定工作。此外，碳化硅还是目前唯一可以用热氧化法生成高品质本体氧化物的化合物半导体。这使其也可以象硅一样用来制造MOSFBT和IGBT这样的含有MOs结构的器件。

碳化硅晶片的制备

由于碳化硅在常压下难以生成熔体,加热到2400℃左右就会升华，因而难以像一般晶体那样通过籽晶在熔体中的缓慢生长来制备单晶，大多采用升华法让籽晶直接在碳化硅蒸汽中生长，其难度自然比锗N硅N砷化镓等常用半导体的制备困难得多。

掺杂是最基本的器件工艺,由于一般杂质在碳化硅中的扩散系数和在

SiO

中一样低，在适合于对碳化硅进行有效杂质扩散的温度下， SiO

2

已失去

2

了对杂质的掩蔽作用，而且碳化硅本身在这样的高温下也不稳定，因此不宜采用扩散掺杂，而主要靠离子注入和材料制备过程中的伴随掺杂来满足制造碳化硅器件的需要。

碳化硅晶片制备技术分为物理方法和化学合成法。前者包括机械粉碎法和β-SiC粉末的升华—结晶法;后者主要有化学气相沉积法和碳热还原

法。化学气相沉积法与碳化硅晶须的制备相似,成本高,价格昂贵,目前研究较少;碳热还原法是以C和SiO2为原料,在催化剂作用下,将原料加热至高温而合成。该法是当前碳化硅晶片制备的主要方法。

碳化硅晶片的前景

目前碳化硅晶片的主要应用领域有 LED固体照明和高频率器件，未来手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅提供巨大的需求增长。

随着碳化硅晶体生长技术和器件制造技术的进一步完善 !今后几年内各种碳化硅电力电子器件都会在成品率、可靠性和价格方面获得较大改善。从而进入全面推广应用的阶段。这极有可能引发电力电子技术的一场新的

革命。因此!碳化硅电力电子器件的诞生和开发是电力电子技术的一次革命性进展。

参考文献

/view/2235004.htm?fr=ala0_1

《碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展》，陈治明（西安理工大学）

《碳化硅晶片的制备技术》，宋祖伟1,李旭云1,赵 茹2,戴长虹2(1.莱阳农学院,山东青岛;2.青岛理工大学)

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