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高压SOIpLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

汇报人：

2024-01-21

引言

高压SOIpLDMOS器件基本特性

电离辐射总剂量效应理论基础

高压SOIpLDMOS器件电离辐射总剂量效应实验研究

仿真分析与优化设计

结果讨论与未来展望

contents

目

录

01

引言

随着航天技术的快速发展，高压SOIpLDMOS器件在航天电子系统中得到了广泛应用。

航天器在轨道运行期间会受到空间电离辐射的影响，导致器件性能退化甚至失效。

因此，研究高压SOIpLDMOS器件的电离辐射总剂量效应对于提高航天器在轨运行可靠性和寿命具有重要意义。

未来，随着航天技术的不断发展和深空探测任务的增多，对高压SOIpLDMOS器件的抗辐射性能将提出更高要求，相关研究也将更加深入和广泛。

国内外学者针对SOI器件的电离辐射效应开展了大量研究，主要集中在总剂量效应、单粒子效应和位移损伤等方面。

目前，关于高压SOIpLDMOS器件电离辐射总剂量效应的研究相对较少，且主要集中在剂量率效应、阈值电压漂移和漏电流增加等方面。

本研究旨在通过实验和仿真手段，系统研究高压SOIpLDMOS器件在不同电离辐射总剂量下的性能退化规律和机制。

具体内容包括：不同剂量率下的总剂量效应实验、器件性能退化表征与评估、退化机制分析与建模等。

通过本研究，可以深入了解高压SOIpLDMOS器件的电离辐射总剂量效应，为其在航天电子系统中的抗辐射加固设计提供理论指导和实验依据，对于提高我国航天器的在轨运行可靠性和寿命具有重要意义。

02

高压SOIpLDMOS器件基本特性

绝缘层上硅（SOI）技术基本原理

在硅衬底和顶层硅之间引入一层绝缘层，形成硅-绝缘层-硅的三明治结构。

SOI技术特点

降低寄生电容、提高器件速度、降低功耗、减小漏电流、提高抗辐射能力等。

横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性。

pLDMOS器件结构特点

通过栅极电压控制沟道的形成，从而控制漏极和源极之间的电流。

pLDMOS工作原理

漏电流（Idss）

器件截止状态下漏极和源极之间的电流，要求尽可能小以提高器件的可靠性。

跨导（gm）

反映栅极电压对漏极电流的控制能力，影响器件的放大倍数和频率响应。

阈值电压（Vth）

器件开启的栅极电压，影响器件的功耗和速度。

击穿电压（BV）

衡量器件耐压能力的关键参数，通常要求高于工作电压的数倍。

导通电阻（Ron）

器件导通状态下的电阻，影响器件的功耗和效率。

03

电离辐射总剂量效应理论基础

电离辐射是指能够引起物质电离的辐射的总称，其种类很多，高速带电荷的粒子有α粒子、β粒子、质子，不带电荷的粒子有中子以及X射线、γ射线。

电离辐射的来源主要有天然辐射和人工辐射。天然辐射包括宇宙射线、地球辐射等；人工辐射包括医疗照射、核能生产、核武器爆炸等。

电离辐射来源

电离辐射定义

总剂量效应是指电离辐射作用于物质时，其能量会沉积在物质中，引起物质的物理、化学性质发生变化。对于半导体器件而言，总剂量效应会导致器件性能退化甚至失效。

电离辐射在半导体材料中产生的电子-空穴对会在材料中迁移、复合或扩散到界面处产生界面态或陷阱电荷，从而影响器件的性能。

影响总剂量效应的因素包括辐射类型、剂量率、温度、偏置条件等。不同类型的辐射产生的电子-空穴对能量不同，对器件性能的影响也不同；剂量率越高，单位时间内产生的电子-空穴对越多，对器件性能的影响也越严重；温度会影响电子-空穴对的迁移率和复合率，从而影响总剂量效应；偏置条件会影响电子-空穴对的分布和迁移路径，也会影响总剂量效应。

总剂量效应定义

产生机理

影响因素

评估总剂量效应的方法主要有实验测试和模拟仿真两种。实验测试是通过辐照实验来模拟器件在实际应用中的工作环境，测量器件性能参数随剂量的变化；模拟仿真则是通过建立器件的物理模型，利用计算机模拟器件在辐照条件下的行为，预测器件性能的变化趋势。

评估方法

评估总剂量效应的标准主要有两个方面：一是器件性能的退化程度，通常以阈值电压漂移、漏电流增加等参数来衡量；二是器件的可靠性，通常以失效率、寿命等参数来衡量。在实际应用中，需要根据具体的应用需求和器件类型来制定相应的评估标准。

评估标准

04

高压SOIpLDMOS器件电离辐射总剂量效应实验研究

选用具有不同剂量率的高压SOIpLDMOS器件作为实验对象，确保实验结果的普适性和可比性。

实验材料

辐射源

剂量率设置

测试方法

采用重离子加速器或钴-60伽马射线源进行电离辐射实验，以模拟空间环境中的辐射条件。

设置多个剂量率水平，以研究不同剂量率对器件性能的影响。

在辐射前后对器件进行电学性能测试，如阈值电压、漏电流、跨导等，并记录器件性能的变化情况。

阈值电压变化