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常用的半导体材料有哪些？

晶圆

初入半导体行业为了尽快入门，我们必须对这个行业的主要物料做一个详细的了解，因为制造业的结构框架是人机料法环测。物料是非常关键的一部分，特别是对于半导体这类被人家卡脖子的行业更要牢记于心，尽快摆脱西方的围堵，但是基础材料这块需要长时间的积累，短期我们很难扭转当下这种憋屈的局面。

在半导体产业中，材料和设备是基石，是推动集成电路技术创新的引擎。半导体材料在产业链中处于上游环节，和半导体设备一样，也是芯片制造的支撑性行业，所有的制造和封测工艺都会用到不同的半导体材料。

半导体材料一般均具有技术门槛高、客户认证周期长、供应链上下游联系紧密、行业集中度高、技术门槛高和产品更新换代快的特点，目前高端产品市场份额多为海外企业垄断，国产化率较低，寡头垄断格局一定程度制约了国内企业快速发展。华为事件的发生发展告诉我们半导体材料国产替代已经非常紧迫了。

半导体材料细分行业多，芯片制造工序中各单项工艺均配套相应材料。按应用环节划分，半导体材料主要可分为制造材料和封装材料。在晶圆制造材料中，硅片及硅基材料占比最高，约占31%，其次依次为光掩模板14%，电子气体14%，光刻胶及其配套试剂12%，CMP抛光材料7%，靶材3%，以及其他材料占13%。

在半导体封装材料中，封装基板占比最高，占40%。其次依次为引线框架15%、键合丝15%、包封材料13%、陶瓷基板11%、芯片粘合材料4%、以及其他封装材料2%。封装材料中的基板的作用是保护芯片、物理支撑、连接芯片与电路板、散热。陶瓷封装体用于绝缘打包。包封树脂粘接封装载体、同时起到绝缘、保护作用。芯片粘贴材料用于粘结芯片与电路板。封装方面相对难度要低一点，所以我们国家的半导体企业主要集中在封测这一后工艺领域。

半导体材料中前端材料市场增速远高于后端材料，前端材料的增长归功于各种前端技术的积极使用，如极紫外(EUV)曝光，原子层沉积(ALD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)等。

晶圆制造是半导体产业中重要一环，生产过程中会涉及多种材料。

硅片是制造半导体芯片最重要的基本材料，贯穿整个晶圆制造过程。是以单晶硅为材料制造的片状物体，在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。

根据细分产品销售情况，2018年硅片占晶圆制造材料市场比值为38%，比重为相关材料市场第一位。虽然半导体材料已经发展到第三代，但由于制备工艺、后续加工及原料来源等因素影响，硅材料依然是主流半导体材料。

半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有100mm（4英寸）及以下、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）、300mm（12英寸）与450mm（18英寸）等规格。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。

随着晶圆制造产业逐渐往国内转移，国内晶圆制造材料企业在面临挑战的同时也迎来重大机遇。

溅射靶材是芯片中制备薄膜的元素级材料，通过磁控进行精准放置。

高纯溅射靶材包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，这些产品主要应用于超大规模集成电路芯片、液晶面板、薄膜太阳能电池制造的物理气相沉积（PVD）工艺。

在溅射靶材领域，美国、日本企业占据全球市场主要份额。溅射靶材是典型的高技术壁垒行业，由于靶材起源发展于国外，高端产品被以美日为代表的国外企业所垄断。日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯、住友化学、爱发科等占据全球靶材市场主要份额。

国内溅射靶材行业虽然起步晚，但在国家政策和资金的支持下，目前已有个别龙头企业在某些细分领域突破国外垄断，依靠价格优势在国内靶材市场占有一定份额。

国内溅射靶材企业主要有江丰电子、阿石创、有研新材等。其中，江丰电子的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界著名半导体厂商的先端制造工艺，在7纳米技术节点实现批量供货。

光刻胶是将掩模版上的图形转移到硅片上的关键材料。

光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。根据中国产业信息网数据显示，全球光刻胶市场仍主要被日本合成橡胶、东京日化（TOK）、罗门哈斯、信越化学、富士电子材料等化工寡头垄断，行业前七大厂商合计市占率达97.9%，行业高度集中。

目前国内集成电路用i线光刻胶国产化率10%左右，集成电路用KrF光刻胶国产化率不足1%，ArF干式光刻胶、ArFi光刻胶全部依赖进口。

我国光刻胶及配套化学品的研究始于20世纪70年代，但目前我国在该行业与国际先进水平相比有较大差距，造成差距主要原因系：一方面，高端光刻胶树脂合成及光敏剂合成技术与国际水平相比还有一定距离；另一方面，高端光刻胶的研究需要匹配昂贵的曝