北京交通大学cmos模拟集成电路设计实验报告.docx

北京交通大学cmos模拟集成电路设计实验报告.docx

  1. 1、本文档共15页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

北京交通大学

模拟集成电路设计试验报告

学生姓名学 号

团队成员

学院班级 电信学院

试验感想:经过为期三周的模电试验,让我对模拟电路有了进一步的认

识,只有通过自己设计才能真正了解运放原理与应用。试验开头时什么也不

懂,然后边学边做,不断地生疏了软件的使用,同时团队分工也大大提高了效率。虽然还有一个幅员没有完成,但整体上学到了很多,这次试验受益匪浅。

试验步骤

1、进入虚拟机下的Cadence〔虚拟机下linux用户名:jchli 密码:ltabbltabb〕

Cadence运行方法:

在linux桌面右键选择建终端——在终端输入cdtsmc0_18rfp4_v15回车

——输入lmli回车——输入icfb回车

2、在CIW〔commandInterpreterwindow〕命令框中,点击Tools——

LibraryManager,消灭LM〔LibraryManager〕窗口

建立一个的Library:点击File——New——Library,消灭NewLibrary窗口;填入Library的名称,点击OK

消灭LoadTechnology窗口,添加工艺文件:选择analogLib,依次选择和添加所需要的器件,并且依据以下图连接起来,并依据要求修改它们的参数,再保存,一个完整的电路拓扑图就形成了。

3、由Schematic产生symbol:翻开Schematic,点击Design——Createcellview——Fromcellview,填写上相应的名称,点击OK,即可。

还可以将生成的symbol进展图形上的修改:可用ADD——shape内的各种外形来修饰这个symbol的外观,最终保存。

4、仿真环境AffirmaAnalogCircuitdesignEnvironment的调用。

?

? ?

?W? ?

50,

对于下面的放大器,已知 ?L?

1,2

0.18

V ?3.3V,

DD

V ?0.5sin(2?ft)V,V

in bias

?1.5V。当R

从1k?变化到100k?时,

Df?100kHz,请仿真扫描输出电压的变化并给出该放大器的增益随RD 变化的曲线,画出RD?100k?时电路的幅员并进展后仿真。

D

变量如下:

幅员如下:

Drc:

Lvs:

Rcx:

后仿:

试验二

在下面的电路中,假设V ?3.3V,I ?14μA,R ?100kΩ,W?25um,L?0.18um,

DD ss D

请承受Cadence软件完成下述任务:

(1)假设V

ic

?0.9V,V

id

?0V,计算两MOS管的V 值;

DS

.(2)假设V

id

?0.9V,V

ic

?0V,试计算A ;

dm

假设V

ic

假设V

ic

?0.9V,V

id

?0.9V,V

id

?0V,试计算A ;

cm

?0V,试计算R ;

od

假设?1.8V?V ?1.8V时V ?0.9V,试给出V ??V ?V ?随V 的变化曲

id ic od o1 o2 id

线;

假设0V?V

ic

?1.8V时V

id

?0V,试给出V

oc

??V

o1

V ?2随V

o2 ic

的变化曲线;

画出该电路的幅员。

1设置变量

〔1〕

A

〔2〕

V

?Vout?

1.898-3.3

?

???1.5578

dm 0.45?

in

?0.45

A

2.598

cm? 0.9

cm

?2.8867

R

od

?2.598?0.47560.000007

?3.032?106

试验三

试设计一个二级运算放大器,假定该放大器单端输出接一个5pF的电容,并假定供电电压为VDD 3.3V,技术指标要求如下:

SR?10V/us,f

?3dB

?150MHz,?1.5V?ICMR?2V,P

diss

?10mW,A

v

?70dB

,CMRR?60dB,PSRR?60dB,输出摆幅?1.5V。要求完成放大器电路参数的计算,并完成前后端仿真与优化。.

确定尺寸如下:

N18:NM0

W=380u

L=2u

m=1;

N18:NM1

W=380u

L=2u

m=1;

N18:NM2

W=40u

L=4u

m=1;

N18:NM3

W=69.2u

L=2u

m=1;

N18:NM4

W=40u

L=4u

m=1;

P18:PM0

文档评论(0)

130****3919 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档