《电力电子技术及应用》教学课件.pptx

第1章电力电子元器件

第2章单相整流电路

第3章三相整流电路

第4章逆变电路

第5章直流—直流变流电路

第6章单相交流调压电路

第7章闭环直流调速系统

第8章虚拟仿真环境简介

第9章单相整流电路虚拟仿真

第10章三相整流电路虚拟仿真

第11章电压型逆变电路虚拟仿真

第12章直流—直流变流电路虚拟仿真

第13章单相交流调压电路虚拟仿真;1.1电力电子器件的分类

1.2不可控型器件——电力二极管

1.3半控型器件——晶闸管

1.4全控型器件——绝缘栅双极晶体管;1.1电力电子器件的分类;电力电子元器件根据不同的方式，可以分为不同的种类。

1.按控制程度分类

按照电力电子器件被控制电路信号所控制的程度，电力电子元器件分为不可控型器件、半控型器件、全控型器件三种。

(1)不可控型器件。

不可控的定义为器件的导通和关断完全由外电路的信号决定，而无法通过控制信号来控制。

(2)半控型器件。

半控的定义为可以通过控制端的信号来使器件导通，但是却无法通过控制端的信号使器件关断，如需关断器件，则需要调整外部电路施加在器件上的电压或电流。

(3)全控型器件。

全控的定义为可以通过控制端口施加的信号来控制器件的导通，也可以通过控制端口的信号使器件关断。

2.按照控制信号的类型分类

按照外部控制信号施加在控制端和公共端之间信号的性质，电力电子元器件可以分为电流驱动型电力电子器件和电压驱动型电力电子器件两种。

通过控制端口注入或抽取电流来控制导通、关断的电力电子器件称为电流驱动型，也可称为电流控制型。典型的电流驱动型器件有晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。

通过控制端和公共端施加正向或者反向的电压信号来控制导通、关断的电力电子器件称为电压驱动型，也可称为电压控制型或场效应器件。典型的电压驱动型器件有绝缘栅双极晶体管、电力场效应晶体管等。

;1.2不可控型器件——电力二极管;1.2.1电力二极管的结构

图1.1所示为电力二极管的电气图形符号，有阳极A和阴极K两个端口。

相较于普通信息电子电路二极管，电力二极管虽然也是PN型结构，但有以下几个不同之处：

(1)普通信息电子电路二极管为横向导电结构，即电流的流通方向和硅片表面平行；电力二极管则为垂直导电结构，即电流的流通方向和硅片表面垂直，如图1.2所示。

(2)为使电力二极管能够承受较大的电压，在P区和N区之间须添加一层低掺杂的N区，如图1.2所示。由于该低掺杂的区域掺杂浓度接近本征半导体，因此电力二极管的结构也可写为P-i-N结构。由于N-区掺杂浓度低，不易使得载流子发生迁移，因此可以承受较高的电压而不被击穿，承受电压的高低由该低掺杂区的厚度决定。;1.2.2电力二极管的工作原理

当电力二极管的两端施加正向电压(即正向偏置)，且该正向电压的取值超过门槛电压UTO时，流过电力二极管的电流从阳极A端入，从阴极K端出，该电流被称为正向电流IF，电力二极管两端的电压被称为正向压降UF。该状态为电力二极管的正向导通状态,即电力二极管呈现“低阻态”。

当电力二极管两端施加反向电压(即反向偏置)时，电力二极管只有从阴极K端到阳极A端的非常小的反向漏电流IRR流过，此时电力二极管处于反向截止状态，即电力二极管呈现“高阻态”。

电力二极管的反向耐压能力通常较强，但是当施加在电力二极管两端的反向电压过大，超过反向击穿电压UB时，反向电流会急剧增大，电力二极管的反向偏置工作状态被破坏，变为反向击穿状态。

根据上述分析，可得电力二极管的伏安特性曲线，如图1.3所示。;1.2.3电力二极管的主要参数

电力二极管主要有如下参数：

(1)正向平均电流IF(AV)。该参数为二极管的额定电流参数，定义为电力二极管长期运行在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

(2)正向压降UF。该参数定义为指定温度下，电力二极管流过稳定的正向电流IF时二极管两端的正向电压，如图1.3中标注所示。

(3)反向重复峰值电压URRM。该参数定义为对电力二极管能重复施加的反向最高峰值电压。

(4)反向漏电流IRR。该参数定义为电力二极管对应于反向重复峰值电压URRM时的反向漏电流。

(5)最高工作结温TJM。该参数定义为在电力二极管中PN结不至损坏的前提下所能承受的最高平均温度。

(6)浪涌电流IFSM。该参数定义为电力二极管能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。;1.3半控型器件——晶闸管;1.3.1晶闸管的结构

图1.4所示为晶闸管的电气图形符号。晶闸管有三个端口，分别为阳极A、阴极K和门极G，其中门极G为控制端。晶闸管为PNPN的四层结构，如图1.5(a)所示。在中间截取横断面(如图1.5(b)所示)，可以将晶闸管看为PNP型三极管V