材料合成技术与方法试卷总题.docx

…… 南阳师范学院

…

(B)晶核四周熔体的温度需要低于凝固点；

…… 2023-2023学年其次学期化学与制药工程学院2023级 (C)界面前方需要都处于过冷状态；

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… 材料化学专业《材料合成技术与方法》课程期终考试试 (D)生长着的晶体要处于较冷的环境之中。

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… 卷〔B〕 3.对于直拉法生长晶体，以下中方法不常被用来作为掌握晶体直径的方法

号 … 是〔 〕。

学 … 题号 一 二 三 四 五 六 七 总分

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… 得分

(A)掌握生长温度 (B)调整热损耗

… (C)掌握提拉速率 (D)掌握晶体生长速率

…

…

： 线 得 分 一.单项选择题〔在每题的备选答案中选出一个正确答案，

名 … 评卷人 并将正确答案的代码填在题干上的括号内。每题1.5分，共

姓 … 30分〕

4.对于定向凝固法，以下哪种设备不是通常所需要的？〔 〕。

(A)特定构造的坩埚 (B)等温炉体

(C)程序控温设备 (D)坩埚传动设备

…… 1.关于在熔体中形核以下说法中错误的选项是〔 〕。 5.以下关于非晶态说法中错误的选项是〔 〕。

…

班 … (A)形核时体积自由能的下降不能抵消外表能的增加； (A)短程有序 (B)亚稳态

…

… (B)过冷度越大，形核越简洁；

(C)XRD衍射呈馒头峰 (D)配位数与晶态完全不同

订级 … (C)形核还收到集中速率的影响； 6.以下关于非晶态材料特性不正确的选项是〔 〕。

订

年

…… (D)非均匀形核比均匀形核简洁。 (A)高强度、高韧性 (B)抗腐蚀性

…

… 在晶粒长大过程中，正常发生的现象有①大的吞并小的②小的吞并大的③

(C)硬磁特性 (D)超导电性

…专业 … 边凹的吞并边凸的④边凸的吞并边凹的⑤边数多的吞并边数少的⑥边数 7.以下因素中不利于非晶态形成的是〔 〕。

…

专

…… 少的吞并边数多的〔 〕 (A)引入杂质 (B)熔点四周液体粘度增大

…

… (A)①③⑤ (B)②④⑥ (C)①③⑥ (D)②③⑤ (C)快速冷却 (D)形成固溶体

装… 2.以下关于Walff定理说法正确的选项是〔 〕。 以下材料中最简洁形成非晶的〔 〕

装

…… (A)液体的平衡外形是随便的； (A)Al (B)Au

…

系 … (B)晶面界面能越低，在外表所占比例越小； (C)Sn-Pb (D)Ni-Cr-B-Si

院 …

… (C)晶面生长速度越快，外表中该晶面比例越大； 8.气相直接分散法最适合制备非晶态的形态是〔 〕。

…中心 … (D)晶面生长速度越快，外表中该晶面比例越小。 (A)块体 (B)薄膜

…

中

制 … 2.在熔体中制备单晶，以下说法错误的选项是〔 〕。

年 …

纤维 (D)颗粒

座号五 … (A)一般需要引入籽晶；

座号

…

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…

… 9.以下不属于液体极冷法制备非晶态所需的条件的是〔 〕。 15.以下设备中溅射主要不是起镀膜作用的是〔 〕。

(A)

(A)导热性良好的基板

(B)液体与基板较差的接触

(A)高频溅射

(B)磁控溅射

(C)液体层格外薄

(D)液体与根本接触到凝固时间短

(C)反响溅射

(D)离子镀

…

…

…

… 10.以下制备非晶态材料的方法中冷却速度最快的是〔 〕。 16.真空蒸镀和离子溅射均属于〔 〕。

…号 … (A)粒子注入 (B)磁悬浮熔炼 (A)PVD (B)CVD (C)CVI (D)L-MBE

…

学 …

… (C)静电悬浮熔炼 (D)落管技术 17.以下不是热分解法制备半导体薄膜材料所需原料的是〔 〕。

… 11.以下哪个压力是真空蒸镀所需要的压力〔 〕。 (A)SiH4

…

PH3

B2H6

FeCl2

… (A)105Pa (B)102Pa 以下工艺中可以准确掌握外延膜生长，适合于进展半导体薄膜生长的人工

线

： … (C)10-1Pa (D)10-4Pa 设计和剪裁的是〔 〕。

名 … 12.在真空蒸镀制备薄膜过程中，以下加热方式可能会引入杂质的是 (A)真空蒸镀 (B)离子溅射

姓 …

… 〔 〕。 (C)化学气相沉积 (D)激光分子束外延

班 … (A)电阻加热 (B)电子束加热

…

… (C)高频感应加热 (D)激光加热 以下材料中不适合溶胶-凝胶法制备的是〔 〕。

订级 … 13.低压放电时发生的电离过程中没有的是〔 〕。 (A)纳米材料 (B)薄膜

订

年

…… (A)正离子电离 (B)负离子电离 (C)多孔材料 (D)致密材料

…

… (C)电子电离 (D)二次电子电离 17.以下不是构