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电子专业英语术语

术语说明

Architecture(结构)可编程集成电路系列的通用逻辑结构。

ASIC(ApplicationSpecificIntegrated适合于某一单一用途的集成电路产品。

Circuit)—专用集成电路

ATE(AutomaticTestEquipment)能够自动测试组装电路板和用于莱迪思

——自动测试设备ISP器件编程的设备。

BGA(BallGridArray)以球型引脚焊接工艺为特征的一类集成电

——球栅阵列路封装。可以提高可加工性，减小尺寸和厚度，

改善了噪声特性，提高了功耗管理特性。

BooleanEquation——逻辑方程基于逻辑代数的文本设计输入方法。

BoundaryScanTest板级测试的趋势。为实现先进的技术所需要

——边界扫描测试的多管脚器件提供了较低的测试和制造成本。

Cell-BasedPLD混合型可编程逻辑器件结构，将标准的复杂

——基于单元的可编程逻辑器件的可编程逻辑器件（CPLD）和特殊功能的模

块组合到一块芯片上。

CMOS(ComplementaryMetalOxide先进的集成电路加工工艺技术，具有高集

Semiconductor)成、低成本、低能耗和高性能等特征。CMOS

——互补金属氧化物半导体是现在高密度可编程逻辑器件（PLD）的理想

工艺技术。

CPLD(ComplexProgrammableLogic高密度的可编程逻辑器件，包含通过一个中

Device)央全局布线区连接的宏单元。这种结构提供高

——复杂可编程逻辑器件速度和可预测的性能。是实现高速逻辑的理想

结构。理想的可编程技术是E2CMOS?。

Density表示集成在一个芯片上的逻辑数量，单位是

——密度门（gate）。密度越高，门越多，也意味着越复

杂。

DesignSimulation明确一个设计是否与要求的功能和时序相

——设计仿真一致的过程。

E2CMOS(ElectricallyErasable莱迪思专用工艺。基于其具有继承性、可重

CMOS)复编程和可测试性等特点，因此是一种可编程

—电子可擦除互补金属氧化物半导体逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。

EBR(EmbeddedBlockRAM)在ORCA现场可编程门阵列（FPGA）中

——嵌入模块RAM的RAM单元，可配置成RAM、只读存储器

（ROM）、先入先出（FIFO）、内容地址存储

器（CAM）等。

EDA(ElectronicDesignAut