《晶体硅光伏电池切割分片效率损失测试方法》.docx

Q/LB.□XXXXX-XXXX

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ICS

FORMTEXT27.160

CCS

FORMTEXTF12

团体标准

T/CPIAFORMTEXTXXXX—202X

FORMTEXT?????

FORMTEXT晶体硅光伏电池切割分片效率损失测试方法

FORMTEXTTestmethodforsliceefficiencylossofcrystallinesiliconphotovoltaiccells

（征求意见稿）

FORMTEXT?????

FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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晶体硅光伏电池切割分片效率损失测试方法

范围

本文件规定了测试晶体硅光伏电池切割分片效率损失的测试方法，包含术语和定义、测试条件、测试样品、测试步骤、数据处理和试验报告。

本文件适用于晶体硅光伏电池切割分片的效率损失测量。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T29195—2012地面用晶体硅太阳电池总规范

IECTS61836太阳能光伏发电系统术语、定义和符号（Solarphotovoltaicenergysystems—Terms,definitionsandsymbols）

IEC61853-1光伏组件性能测试和能量评定第1部分：辐照度和温度性能测量和功率评定（Photovoltaic(PV)moduleperformancetestingandenergyrating—Part1:Irradianceandtemperatureperformancemeasurementsandpowerrating）

IEC63202-1光伏电池第1部分：晶体硅光伏电池光致衰减试验方法（Photovoltaiccells-Part1:Measurementoflight-induceddegradationofcrystallinesiliconphotovoltaiccells）

术语和定义

IECTS61836和IEC63202-1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

切割分片后子电池新增的侧面面积（Sm）thenewsideareaofthesub-cellaftercuttingandslicing

当晶体硅电池进行切割后，电池分片会产生新的侧面，如图1所示，白色区域为Sm。

电池切割示意图

切割分片后子电池的总表面积（Ss）thetotalareaofthesub-cellaftercuttingandslicing

总表面积指的是切割后电池分片的上、下表面以及4个侧面的面积。

方法原理

将待测样品置于准稳态光照条件下，测量样品两端电压，根据二极管肖克莱方程，所测电压和光强遵从指数关系，这一关系可以通过公式（1）来具体描述。进一步地，通过公式（1）的推导，我们得到了公式（2），在脉冲光源照射下，光强一般从几个太阳到0.1个太阳变化（至少3个太阳以上），开路电压随光强变化。从而可以得出开路电压—光强变化曲线。同时根据1倍太阳到0倍太阳之间的开路电压的变化算出样品两端对应的电流密度（Jimplied），这一计算过程由公式（3）给出。最后，结合公式（2）和公式（3），我们可以得出IV曲线，进而可以得到无串联电阻影响的填充因子和转换效率。

suns?Jsc=

Voc=mkTq

Jimplied=Jsc

式中：

suns——标准下1倍光强的倍数（无量纲）；

Jsc——是待测样品在1个太阳下的短路电流密度，通常是个常数，单位为毫安每平方厘米（mA/cm2）；

Voc——是开路电压，单位为伏（V）；

J0——是暗态饱和电流，单位为安培（A）；

m——是理想因子；

k——是玻尔兹曼常数，K=1.38×10-23J/K；

q——是基本电荷，q=1.6×10-19C；

T——是温度，单位为K。

KT/q——为温度