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第五章习题
在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3,空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。
：?p?1013/cm?3,??100?s
求：U?？
解：依据???p
U
得：U??p?
1013
?1017
/cm3s
? 100?10?6
用强光照耀n型样品，假定光被均匀地吸取，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为?。
写出光照下过剩载流子所满足的方程；
求出光照下到达稳定状态时的过载流子浓度。
解：均匀吸取，无浓度梯度，无飘移。
?d?p
???p?g
dt ? L
?方程的通解：?p(t)?
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