溅射成膜解析课件.pptVIP

第二章薄膜的制备2.1物理气相沉积—真空蒸镀2.2溅射成膜2.3化学气相沉积（CVD）2.4三束技术与薄膜制备

v重点1.什么叫溅射？影响溅射的主要因素？2.说明溅射的动能转移论。3.比较溅射与蒸发的特点。4.溅射的主要类型。

2.2溅射成膜溅射(Sputtering)是指荷能粒子（如正离子）轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出的现象。逸出的原子在工件表面形成与靶材表面成份相同的薄膜。这种制备薄膜的方法称为溅射成膜。

如图所示，溅射腔室内充有惰性气体如氩气，在高压下可以电离化。荷正电离子在靶子表面得到加速，它们有足够的能量可以撞击靶子使得其上的原子离开把子材料，其中大多数原子趋向基质材料表面加速，接二连三的撞击、沉积就形成了薄膜。溅射制薄膜设施示意图

溅射的发展史1853年，Grove就观察到了溅射现象，他发现在气体放电室的器壁上有一层金属沉积物，沉积物的成份与阴极材料的成份完全相同。但当时他并不知道产生这种现象的物理原因。1902年，Goldstein才指出产生这种溅射现象的原因是由于阴极受到电离气体中的离子的轰击而引起的，并且他完成了第一个离子束溅射实验。1960年以后，人们开始重视对溅射现象的研究，其原因是它不仅与带电粒子同固体表面相互作用的各种物理过程直接相关，而且它具有重要的应用，如核聚变反应堆的器壁保护、表面分析技术及薄膜制备等都涉及到溅射现象。

v溅射的原子有大的能量，初始原子撞击基质表面即进入几个原子层深度，这有助于薄膜层与基质间的良好附着力。v溅射法的另一个优点是可以改变靶材料产生多种溅射原子，并不破环原有系统，因此可以形成多层薄膜。

溅射的应用v溅射法广泛应用在诸如由元素硅、钛、铌、钨、铝、金和银等形成的薄膜；v也可以用于形成包括耐火材料，如碳化物、硼化物和氮化物在金属工具表面形成薄膜；v以及形成软的润滑膜如硫化钼；v还用于光学设备上防太阳光氧化物薄膜等；v相似的设备也可以用于非导电的有机高分子薄膜的制备。

2.2.1溅射的基本原理1.气体放电理论溅射通常采用的是辉光放电，利用辉光放电时正离子对阴极溅射。当作用于低压气体的电场强度超过某临界值时，将出现气体放电现象。气体放电时在放电空间会产生大量电子和正离子，在极间的电场作用下它们将作迁移运动形成电流。

放电不取决于外界条件而能够持续，并发出暗光外界条件作用下导致气体放电电压保持一定，并发出一定颜色的辉光

低压气体放电是指由于电子获得电场能量，与中性气体原子碰撞引起电离的过程，Townsend引入三个系数来表征存在的三个电离过程：(1)电子的电离系数α在电场作用下，电子获得一定能量，在从阴极到阳极运动过程中与中性气体原子发生非弹性碰撞，使中性原子失去外层电子变成正离子和新的自由电子，这种现象会增殖而形成电子崩。电子电离系数就是表示自由电子经单位距离，由于碰撞电离而增殖的自由电子数目或产生的电离数目。

设单位时间由阴极表面逸出电子的面密度为n，使阴0极的电子电流密度J为距阴极为x处的电流密度J为当极间距离为d时，达到阴极的电子电流密度J为dα值与气体压力p、电场强度E有关，经验公式为

(2)正离子的电离系数β正离子从阴极向阳极运动过程中，与中性分子碰撞而使分子电离，单位距离由于正离子碰撞产生的电离系数用β表示。(3)二次电子发射系数每个击中阴极靶面的正离子使阴极逸出的二次电子数称为二次电子发射。一般而言，气体的电离电位较高，阴极靶的电子逸出功较低时，则系数γ就越大。

由于二次电子的发射，增加了阴极附近的电子数量，则阴极的放电电流密度为：非自持放电转化为自持放电的条件为：若从非自持放电转化为自持放电的点燃电场为E，则S点燃电压为：

将自持放电条件带入式（2－18）？得即自持放电的点燃电压取决于p和d的乘积，在Vs和Pd关系曲线上具有一个极小值。即在一定的pd值时点燃电压最小，称为巴欣(Padchen)定律。

2.辉光放电当低压放电管外加电压超过点燃电压后，放电管只能自持放电，并发出辉光，这种放电现象称为辉光放电。v从阴极到阳极可将辉光放电分为三个区域：阴极放电区，正柱区，阳极放电区v阴极放电区最为复杂，可分成阿斯顿(Aston)暗区、阴极辉光、克鲁斯(Crookes)暗区、负辉光区及法拉第暗区几个部分。

每个区域的特征，自学，p42

(1)阿斯顿暗区该区紧靠阴极表面一层，由于电子刚刚从阴极表面逸出，能量较小，还不足以使气体激发电离，所以不发光，但电子在该区可获得激发气体原子所必须的能量。(2)阴极辉光层电子获得足够的能量后，能使气体原子激发而发光，形成阴极辉光层。

(3)克鲁斯暗区随着电子在电场中获得的能量不断增加，使气体原子产生大量的电离，在该区域内电子的有效激发电