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7.1
7.1
半导体器件根底
GS0101由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示:
u
TD
T
i ?I
D
R(sat)
(eV
?1)
式中,i为流过二极管的电流,u。为加在二极管两端的电压,V称为温度的电压当量,与热力学温度成
D D T
正比,表示为V =kT/q其中T为热力学温度,单位是K;q是电子的电荷量,q=1.602×10-19C;k为玻耳兹曼
T
常数,k=1.381×10-23J/K。室温下,可求得V
T
GS0102直流等效电阻R
D
=26mV。I
R(sat)
是二极管的反向饱和电
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