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《半导体工艺》
《半导体工艺》
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三．热分解淀积氧化
热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反响，在硅片外表淀积一层二氧化硅薄膜的方法。这种方法的优点是：基片本身不参与形成氧化膜的反响，而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。假设是硅片,获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅,而保持硅片厚度不变，这是与热氧化法最根本的区分。由于这种方法可以在较低的温度下应用，所以被称作“低温淀积”。常用的热分解淀积氧化膜反响源物质〔硅化合物〕有正硅酸乙脂和硅烷两种。现分别介绍如下：
正硅酸乙脂热分解淀积
淀积源的温度掌握在20oC左右，反响在真空状态下进
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