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第十章半导体器件的静电损伤及防护
半导体器件在制造/存储/运输及装配过程中，仪器设备/材料及操作者都很简洁因摩擦而产生几千伏的静电电压。当器件与这些带电体接触时，带电体就会通过器件引出腿放电，引起器件失效。静电放电〔ESD〕损伤不仅对MOS器件很敏感，而且在双极器件和混合集成电路中同样存在ESD损伤问题。
目前，国际上对EDS损伤及防护问题格外重视。从80年月初开头，由美国牢靠性分析中心和罗姆航空进展中心联合发起，每年召开一次国际性的专题年会，沟通ESD方面的争论成果。
半导体器件的ESD损伤，在我国的电子工业中也格外严峻。例如，对上
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