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半导体工艺
--离子注入
离子注入法掺杂相比集中法掺杂来说，它的加工温度低、简洁制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不行缺少的掺杂工艺。
离子注入原理
离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有肯定量的电荷。可通过电场对离子进展加速，利用磁场使其运动方向转变，这样就可以掌握离子以肯定的能量进入wafer内部到达掺杂的目的。
离子注入到wafer中后，会与硅原子碰撞而损失能量，
能量耗尽离子就会停在wafer中某位置。离子通过与硅原子的碰撞将能量传递给硅原子，使得硅原子成为的入射粒
子，入射离子又会与其它
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