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RealTek-Flash架构及使用Flash取代Eeprom方法--Part-1

RealTek的CODE中，把64kbytes的BANK也称之为BANK，一个BANK中，又分为16个4kbytes，每个4kbytes称之为Page.

2Mbits的FLASH，Bank0~Bank3中，只有最后一个Bank（Bank3）的最后4个PAGE（即：page12～page15）用来做replaceeeprom使用。

放大Bank3：

2：RealTek的FlashPage分析。

一：Page12～Page14解析：

在Realtek的Flash架构设计中，每一个Page（4kbyges，除Page15外）又被细分为16X256个区块，每个区块称之为每笔资料。

其中：

每个Page的最后一笔资料（最后16个byte）用来指示当前Page的信息。

任意一笔资料的第一个byte为此笔资料的Index，最后一个byte为这笔资料的Checksum。

每个Page最多可以存储255笔（0～254）资料。

如下所示（Page12～Page14任意一个）：

二：Page15解析：

前面已经有说过，在Realtek的Code中，Page15是一个比较特殊的Page，它在软体中的功能是唯一的：只用来存放HDCP-KEY。

Page15的MCU寻址地址为：0xF000~0xFFFF，可是，Realtek的HDCP-KEY的总长度只有325个byte（包含了前5个byte--包含20个0和20个1的控制key和后320个byte--20组，每组16byte的key）。

325个byte却占用了4Kbyte的空间是不是太浪费了？？

1：大部分的FLASH的擦除，只能是以4K为单位来擦除，如果放HDCP-KEY的4K有存放其它需要经常更新的数据，会把HDCP-KEY擦除而不可恢复。

2：Page15的除了HDCP-KEY占用的之外的那些BYTE，也无法去存放数据，因为MCU软体中已经有占用了一部分的寻址空间，用来作为特殊功能寄存器（XFR）及DDCRAM的寻址使用，即使你往Page15的另外的那些地址存资料，MCU也无法认到（因为用来寻址的地址总线被占用）。

如下所示：

以LENOVO_LI2361D的CODE为例。

在LENOVO_LI2361D的KeilC中，以下步骤打开对话框：

从上可以看到，Off-chipXdatamemory占用的寻址地址为以0xFB00为起始的地址，长度为0x0300的空间，即：0xFB00～0xFE00，因为我们的Bank0～Bank3使用的都是Xdata的寻址方式，而Bank0～Bank2的寻址地址被用来寻找存放CODE二进制代码，所以，此处占用的Xdata是占用了Bank3的寻址地址，即它占用的是Bank3的Page15的部份地址。

3：在显示器的规范中，有PC99的要求，即：当显示器在DCOFF的时候，接上显卡，显卡要有读取显示器的EDID的能力。

在早期的RealteIC，如RTD2122/RTD2120系列，它的主板上没有独立的24C02，不过它在IC内部有独立一块空间，用来与PC进行DDC的数据交换，称之为DDCRAM。

现在的RealtekIC的主板上，都是独立的24C02，在显卡的微弱电力下，可以直接与PC进行DDC数据的传送，所以，已经取消了IC内部DDCRAM功能。

虽然目前的IC已经Disable了DDCRAM功能，可是软体上还是有预留出DDCRAM的寻址地址，如下图所示：

注：以下这个图片是以RTD2476D的ICSPEC为BASE得到的，不同IC，它的地址不一定相同。

由以上图片可知，它同样占用了Bank3的Page15的部份寻址地址，而且，与特殊功能寄存器的地址0xFB00～0xFE00会有部分的地址重合，这没有关系，因为目前的RealtekIC的软体，已经不需要用DDCRAM功能，DDCRAM的地址实际已经没有什么意义。

由以上几点，可得，Page15的解析图如下：

具体设定可以查看：

3：RealTek的FlashPage存储方式举例

Realtek的软体中，把Bank3的Page12～Page14这三个page，分别用来存放Mode参数，Global参数，另外一个Freepage，用来做data的搬运使用。具体哪个page用来存放哪种参数，是不定的，在flash的初始化的时候，page12用来存放MODE参数，page13用来存放global参数，page14用作freepage。可是，当有一个page的data存满的时候，进行data的搬运后，三个page的角色又会相应变化。

在flash.