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半导体发光二极管基本知识和工艺简介.docx

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    24123959.doc-doc

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    半导体发光二极管根本学问和工艺简介

    导言

    自从60年月初期GaAsP红色发光器件小批量消灭进而十年后大批量生产以来，发

    光二极管材料取得很大进展。最早进展包括用GaAsP制成的同质结器件，以及GaP

    1-xx

    掺锌氧对的红色器件，GaAsP掺氮的红、橙、黄器件，GaP掺氮的黄绿器件等等。到了

    1-xx

    80年月中期消灭了GaAlAs发光二极管，由于GaAlAs材料为直接带材料，且具有高发光效率的双异质结构造，使LED的进展到达一个的阶段。这些GaAlAs发光材料

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