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一.硅片的化学清洗工艺原理
半导体硅片的化学清洗技术
硅片经过不同工序加工后，其外表已受到严峻沾污，一般讲硅片外表沾污大致可分在三类：
有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。
颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2μm颗粒。
金属离子沾污：必需承受化学的方法才能清洗其沾污，硅片外表金属杂质沾污有两大类：
一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片外表。
另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着尤如“电镀”〕到硅片外表。
硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下
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