半导体物理习题集.docx

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料，不作为权威性指导和指引，仅供参考

1、本文档共25页，其中可免费阅读8页，需付费120金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

1/24

第一章、半导体中的电子状态习题

、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。

、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的缘由。

、试指出空穴的主要特征。

、简述Ge、Si和GaAS的能带构造的主要特征。

、某一维晶体的电子能带为E(k)?E

?1?0.1cos(ka)?0.3sin(ka)?其中E

=3eV，晶格常数

0 0

a=5х10-11m。求：

能带宽度；

能带底和能带顶的有效质量。题解：

、解：在肯定温度下，价带电子获得足够的能量〔≥E〕被激发到导带成为导电电子

的过程就是本征

专注地铁、铁路、市政领域安全管理资料的定制、修改及润色，本人已有7年专业领域工作经验，可承接安全方案、安全培训、安全交底、贯标外审、公路一级达标审核及安全生产许可证延期资料编制等工作，欢迎大家咨询~

认证主体天津析木信息咨询有限公司

IP属地天津

更多 >