半导体物理练习题.docx

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半导体物理练习题

一、选择填空〔含多项选择〕1.与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量〔〕A.比半导体的大B.比半导体的小C.与半导体的相等

2.室温下,半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3,同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷,则电子浓度约为〔〕,空穴浓度为〔〕,费米能级〔〕;将该半导体升温至570K,则多子浓度约为〔〕,少子浓度为〔〕,费米能级〔〕。〔:室温下,ni≈1.5×1010cm-3,570K时,ni≈2×1017cm-3〕A.1014cm-3C.1.1×1015cm-3E.1.2×1015cm-3G.高于

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